프리스케일 반도체는 고전력 고반사파 애플리케이션을 위한 업계 최초의 50V RF LDMOS 파워 트랜지스터인 ‘MRFE6VP6300H FET’를 27일 발표했다.

 

MRFE6VP6300H FET는 1.8~600MHz에서 동작하도록 설계되었으며 CO2 레이저, 플라즈마 발생기, MRI(자기공명영상) 스캐너와 같은 애플리케이션에서 높은 임피던스 부정합(impedance mismatch) 에 의한 부품파괴현상을 줄여주도록 최적화된 RF LDMOS 전력 트랜지스터이다.

 

신제품인 MRFE6VP6300H FET는 65:1의 정재파비(Voltage Standing Wave Ratio)를 가지는 부하에 300W CW의 정격 출력을 공급할 수 있는 세계 최초의 50V LDMOS 트랜지스터이다.

 

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반도체 RF 전력 증폭기는 RF 전력 트랜지스터에서 생성된 최대 전력이 안테나에 도달할 때 가장 효율적으로 작동한다. 이 경우 이론적인 조건 (1:1의 VSWR)에서 생성된 모든 정격 전력은 전송선을 통해 부하에 도달하며 이 중 다시 증폭기에 반사되는 전력은 없다. 대부분의 애플리케이션에서 정재파비(VSWR)가 2.5:1을 초과하는 경우는 거의 없고 대부분의 RF 전력 트랜지스터는 제조기술과 상관 없이 5:1 또는 10:1의 VSWR에서 동작한다.

 

하지만, CO2 레이저 및 플라즈마 발생기를 점화하거나 MRI 시스템에서 전자기장을 만들기 위해 사용하는 RF 전력 증폭기의 경우 생성된 정격 전력의 거의 대부분이 증폭기로 다시 반사될 수 있다. 이와 같은 극도의 열악한 조건은 대부분의 RF 전력 트랜지스터에서 해결해야 할 과제를 의미한다.

 

프리스케일의 새로운 MRFE6VP6300H LDMOS FET는 기본적으로 이러한 애플리케이션을 위해 설계되었으며 최대 65:1의 VSWR에 최대 300W CW 출력을 제공할 수 있다. 상용화된 50V LDMOS 트랜지스터 중 이러한 수준의 성능을 제공하는 유일한 트랜지스터이다.

 

프리스케일의 RF 사업부 총책임자인 개빈 우즈(Gavin Woods) 부사장은 “신제품을 통해 CO2 레이저, 플라즈마 발생기, MRI 스캐너, 기타 산업 장비의 제조업체들은 이 새로운 트랜지스터로 최고 수준의 견고성과 RF 전력 성능을 활용할 수 있다”고 말했다.

 

MRFE6VP6300H는 푸시풀(push-pull) 또는 싱글 엔디드 구성에 사용 가능하며 air-cavity 세라믹 패키지를 사용한다.  이 부품은 130MHz에서 25dB 이득과 80% 효율로 300W CW 출력을 제공한다. MRFE6VP6300H에는 또한 Class III 급의 혁신적 정전기 방전(ESD) 보호 기능이 들어 있으며며 넓은 게이트-소스 전압 범위(-6V ~ +10V)를 가지고 있어서 Class C와 같은 고효율성 모드에서 작동할 때 성능을 향상시킨다.

 

MRFE6VP6300H는 현재 샘플이 공급되고 있으며 양산은 2010년 4분기로 예정되어 있으며 레퍼런스 디자인 및 기타 지원 도구는 프리스케일 공식 대리점에 문의할 수 있다. MRFE6VP6300H에 대한 추가 정보는 www.freescale.com/rfindustrial에서 확인할 수 있다.

 

피엔에프뉴스(www.pnfnews.com)

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