온세미컨덕터(www.onsemi.com)가 고성능 전력 변환(HPPC) 소비재 기기와 산업용 애플리케이션에 초점을 맞춘 고성능 IGBT의 포트폴리오를 확대했다.

 

이번에 선보인 차세대 필드스톱 Ⅱ(FSⅡ) 소자는 스위칭 특성을 향상시켰으며, 고효율과 낮은 케이스 온도가 실현 가능하도록, 손실을 30퍼센트까지 경감시켜 준다. 이는 전체 시스템 성능과 신뢰성을 개선시킨다. 특정 애플리케이션에 최적화된 이 소자 제품군은 기존의 제품들에 비해 케이스 온도를 20%까지 낮춰준다.

 

온세미컨덕터의 전력 디스크리트 제품사업부 부사장인 폴 레오나드(Paul Leonard)는 “점점 새로운 전기 제품이 개발, 사용됨에 따라 산업용과 소비재 시장에서 전체 에너지 소모량이 꾸준히 오르고 있다”고 언급했다. 또한 "온세미컨덕터의 박막 웨이퍼 가공과 임플란트 기술에 대한 지속적인 연구 개발은 IGBT에서의 중대한 진전을 이루었다. 그 결과 에너지 효율 솔루션에 대해 날로 증가하는 수요를 더욱 효과적으로 지원하게 되었다”고 말했다.

 

FSII IGBT 제품군의 첫번째 그룹은 NGTBxxN120IHRWG와 NGTBxxN135IHRW이다. 이들 소자는 15kHz에서 30 kHz 범위의 유도 가열 제품과 소프트 스위칭 애플리케이션에서 스위칭 및 전도손실을 줄일 수 있도록 최적화된 제품이다. 높은 전류에서 탁월한 내구성과 우월한 온스테이트 특성을 가진 이 소자들은 효율성을 높이고 시스템 손실을 낮춰야 하는 시스템에 최적화됐다.

 

이들 고속 IGBT는 전기냄비, 밥솥, 전자레인지 애플리케이션과 같은 유도가열 기반 제품을 통해 업계 선도적인 시스템 레벨 성능을 제공한다. 이 소자 제품군으로 20A, 30A, 40A의 전류등급을 가진 1200V, 1350V의 플랫폼 버전이 제공된다.

 

NGTBxxN120FL2WG 와 NGTBxxN135FL2WG 제품군의 개선된 FSII IGBT 기술은 태양열 인버터, 무정전 전원공급장치(UPS), 인버터 용접 애플리케이션에 적합하도록 설계되었다. 개선된 열 특성으로 인해 TO-247 패키지로 구성된 이 소자들은 작동 접합온도 범위가 -55℃에서 +175℃에 이르며, 전류 등급을 100A까지 상승시켰다.

 

피엔에프뉴스 / www.pnfnews.com

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